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st202 2015-09-17 08:54 PM

引用:
作者lzarconlony1
抗議 為什麼新北市只能當DRAM這種慘業 :laugh:

3D IC真的很多種實現方式 不一定要TSV
個人看好Intel & Samsung的做法
基礎結構上進行3D化 而不是只靠堆疊這種無甚創意的招

高見 高見 :laugh: :laugh: :laugh:

FinFET不是intel發明的
至於TSV intel則挑戰失敗 停留在實驗性質的階段

3D Nand Flash業界第一個實現48層堆疊是東芝/SanDisk
但是東芝即使有3D Nand 另外也在開發TSV堆疊
TSV貫通接點的優點 可不是「紙箱攤平」的堆疊能達到的
紙箱攤平是有點抽象化 不過這就是所謂3D結構的現狀
東芝、世界初のTSVによる1チップ256GBのNANDフラッシュ
東芝、NANDフラッシュとSSDの開発戦略をFMSで公表

蘇族 2015-09-18 08:13 AM

引用:
作者wwchen
你可能有誤解!
邏輯芯片和記憶 die 是分開放在旁邊,
透過 Si 基材封裝在同一塊大芯片, 然後
再和傳統基材上下結合封裝成最後成品.
並不會在高發熱的邏輯芯片的正上方,
直接堆疊記憶體. 所以, GPU 還是得
靠工藝進化降低發熱.

那請問3D封裝與2.5D封裝的主要差別是?

Xforce 2015-09-18 08:42 AM

引用:
作者蘇族
那請問3D封裝與2.5D封裝的主要差別是?

3D: TSV 直接堆疊
2.5D: TSV + Interposer
應該吧

蘇族 2015-09-18 08:49 AM

引用:
作者Xforce
3D:TSV直接堆疊

我也是這麼認為,可是樓上說是分開的

st202 2015-09-18 10:31 AM

引用:
作者蘇族
我也是這麼認為,可是樓上說是分開的

那一定是你可能有誤會 :laugh: :laugh: :laugh:


pcwatch圖解

蘇族 2015-09-18 12:22 PM

引用:
作者st202
那一定是你可能有誤會:laugh::laugh::laugh:

別這樣,誤會的是樓上又不是我:unbelief:

lzarconlony1 2015-09-18 12:47 PM

引用:
作者st202
高見 高見 :laugh: :laugh: :laugh:

FinFET不是intel發明的
至於TSV intel則挑戰失敗 停留在實驗性質的階段

3D Nand Flash業界第一個實現48層堆疊是東芝/SanDisk
但是東芝即使有3D Nand 另外也在開發TSV堆疊
TSV貫通接點的優點 可不是「紙箱攤平」的堆疊能達到的
紙箱攤平是有點抽象化 不過這就是所謂3D結構的現狀
東芝、世界初のTSVによる1チップ256GBのNANDフラッシュ (http://pc.watch.impress.co.jp/docs/...806_715446.html)
東芝、NANDフラッシュとSSDの開発戦略をFMSで公表 (http://pc.watch.impress.co.jp/docs/...813_716226.html)


你只能google當然看的層面就很有限
這種東西就是要回到IEEE paper上去看
早在2008左右 這些3D IC的概念就有各種不同的做法被提出

製程的東西 日本人從來都排不上邊 台灣都比他們強
而且我們的半導體製程怎麼算也是世界前五以內

這麼關心這方面 是靠這個吃飯嗎?
不管哪一家的3D IC 用甚麼概念實現
最後還是回歸到密度 良率 成本 這幾個老議題
所以並不是技術先進就會現階段採用

TSMC最強大 或者說台灣最強大
就是代工良率佳而且價格不錯...
意思就是我們很會cost down :laugh:

st202 2015-09-18 06:48 PM

引用:
作者lzarconlony1
你只能google當然看的層面就很有限
這種東西就是要回到IEEE paper上去看
早在2008左右 這些3D IC的概念就有各種不同的做法被提出

製程的東西 日本人從來都排不上邊 台灣都比他們強
而且我們的半導體製程怎麼算也是世界前五以內

這麼關心這方面 是靠這個吃飯嗎?
不管哪一家的3D IC 用甚麼概念實現
最後還是回歸到密度 良率 成本 這幾個老議題
所以並不是技術先進就會現階段採用

TSMC最強大 或者說台灣最強大
就是代工良率佳而且價格不錯...
意思就是我們很會cost down :laugh:

你真的有看過相關論文?
真是不可思議 :jolin: :jolin: :jolin:

hareluya6510 2015-09-21 01:11 PM

引用:
作者st202
你真的有看過相關論文?
真是不可思議 :jolin: :jolin: :jolin:


他說的確實是如此
3D IC在很早就有paper講,可上IEEE查詢
另外,除了所謂的TSV
還有些單晶片的3D IC概念
是利用Inter Layer Dielectric分隔上下兩層,再以internal contact 連接
這就已經算是3D IC了。
double gate MOSFET 也是3D IC,追朔可以更早

現在的問題是你說的3D跟我說的3D是不是同一件事
就像MOSFET從微觀角度也是3D,它也有XYZ三軸座標
但從巨觀的角度看,MOSFET都是座落在XY平面上
雖然有Z(高度),巨觀來看可以說是2D

wwchen 2015-09-21 01:43 PM

引用:
作者蘇族
那請問3D封裝與2.5D封裝的主要差別是?


3D 封裝是 die 上疊 die(目前的方案).

2.5D 是異質 die 封裝成一個 IC, 不使用 wafer level TSV.

還有, 3D 封裝是晶圓廠的強項, 穿孔在電路 die 上.

而 2.5D 是只用 Si 基材的 TSV, 相對門檻低很多很多,
所以一般封測廠能做.


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