不知道多久才能看到實品......

本來也是這樣誤會....


不過Adobe的Flash不用殺手啦,被蘋果毒了一下血少一半,然後Google再補幾刀,最後還自爆,早就進棺材7成了.

雖然是使用半導體製程 這玩意可不是電晶體
結構簡單 有成本優勢

引用pcwatch記事
　トランジスタが不要なのは、メモリセルがセレクタから送られるさまざまな電圧でリード/ライトできるためで、これにより大容量化と低コスト化を実現。

不過成本控制玩的過南韓?存疑中...

太專業了. 都是數字,
所以我開完機及開20個分頁可以在幾秒鐘完成?

開機還要看其他配備及配備多寡
開20個分頁如是指網頁分頁，那cpu處理能力和網速也是關鍵

因為同時取代DRAM跟SSD，所以就沒有載入記憶體這回事了，頂多載入CPU快取，而且開機瞬間就是關機時的狀態，所以關機時不用關軟體，也不用搞微耗電的休眠模式。

至於瀏覽器上的網頁，就是關機時的狀態，除非去按重新載入。

http://pc.watch.impress.co.jp/docs/...730_714157.html

　NANDフラッシュメモリの共同開発などで協業しているIntelとMicron Technologyの企業連合(Intel-Micron連合)は、2015年7月28日(現地時間)に米国で記者会見を開催し「革新的な不揮発性メモリ技術を共同開発した」と発表した。両社はこのメモリ技術を「3D XPoint Technology(スリーディー・クロスポイント・テクノロジー )」と名付けている。

　両社の発表内容からは、「3D XPoint Technology」がいかに素晴らしい技術であるかを強調する文章が並ぶ。例えば以下のようなものだ。

1. NANDフラッシュメモリに比べて1,000倍も高速
2. DRAMに比べて10倍も記憶密度が高い
3. NANDフラッシュメモリに比べて書き換え寿命が1,000倍も長い



　これだけ見ると、もの凄いブレークスルー技術だと錯覚しそうになるが、記者会見のビデオと発表資料を精査すると、違った側面が見えてくる。例えば以下のようなものだ。

1. DRAMに比べると動作速度は遅く、読み出し速度はNANDフラッシュメモリとあまり変わらない
2. NANDフラッシュメモリに比べると記憶密度は低い
3. DRAMに比べると書き換え寿命は、はるかに短い


　この主記憶(DRAM)と外部記憶(NANDフラッシュメモリ)の間を埋めるメモリは、かねてより「ストレージ・クラス・メモリ(SCM)」、あるいは「次世代大容量不揮発性メモリ」などと呼ばれて研究開発が進められてきた。

　具体的には、相変化メモリ(PCM)、磁気メモリ(MRAM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)などのメモリ技術だが、3D XPointメモリは、これらと競合するメモリ技術と言える。




日本媒體作足功課有夠認真
:laugh: :laugh: :laugh:

靠腰我好神.... :eek:
http://www.pcdvd.com.tw/showpost.ph...582&postcount=6

http://www.pcdvd.com.tw/showpost.ph...26&postcount=14

http://www.pcdvd.com.tw/showthread....75&page=1&pp=10

那為啥我老猜不中威力彩號碼 :cry:

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壞掉不會動的時鐘
一天也會準二次的

傳說中的行動謎片 :confused: :confused: :shy: :shy: :laugh: :laugh: :laugh: