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3D NAND 重點是疊幾層, 所以製程可以不用微縮, 造成 P/E 壽命短
美光 3D NAND 維持 P/E 3000, 但是有人認為應該是 5000 P/E 甚至 10000 P/E
http://technews.tw/2015/03/30/3d-nand-intel-micron/

PS:
這篇可以看看
http://www.nanomark.org.tw/epaper/pdf/TANIDA-38-2.pdf

galant99

2016-05-31 01:25 PM

三星最新旗舰850 PRO的3D V-NAND颗粒可能是TLC模拟MLC？

st202

2016-05-31 01:49 PM

引用:

作者galant99

三星最新旗舰850 PRO的3D V-NAND颗粒可能是TLC模拟MLC？ (http://bbs.pceva.com.cn/thread-97880-1-1.html)

型號標示的很清楚
2bit MLC 純正MLC
3bit MLC 模拟MLC

19971984

2016-05-31 01:53 PM

引用:

作者st202

http://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/747/691/tenji_10.JPG
型號標示的很清楚
2bit MLC 純正MLC
3bit MLC 模拟MLC

這種方法是不是有點像CPU的P-Rating啊.
不過用什麼XLC一點都不重要,
便宜又大碗就對了. :yeah:

idleic2

2016-05-31 02:03 PM

3bit MLC = TLC

不過 http://bbs.pceva.com.cn/thread-97880-1-1.html 也說
三星于2013年8月开始量产第一代2bit MLC 3D V-NAND，使用40nm制程24层工艺提供了128Gbit的单Die容量
三星推出的第二代3D V-NAND。在依然使用40nm制程的情况下，Die尺寸缩小接近1/4，但层数从24提高到32，而容量反而降低到86Gbit。

這剛好回應 aristocrat 的問題

aristocrat

2016-05-31 02:41 PM

引用:

作者idleic2

http://technews.tw/2016/04/15/china-nand-flash-development/

http://img.technews.tw/wp-content/u...velopment-2.jpg

3D NAND 重點是疊幾層, 所以製程可以不用微縮, 造成 P/E 壽命短
美光 3D NAND 維持 P/E 3000, 但是有人認為應該是 5000 P/E 甚至 10000 P/E
http://technews.tw/2015/03/30/3d-nand-intel-micron/

PS:
這篇可以看看
http://www.nanomark.org.tw/epaper/pdf/TANIDA-38-2.pdf

謝謝你提供的資料,其實比較擔心的是,照這些趨勢及目前市場現況來看,
未來消費級的平價SSD可能會被TLC佔據,MLC可能大部分會被廠商用在高階甚至企業級的SSD上,尤其是在未來3D NAND普及後,廠商更有充分的理由讓消費級都改用TLC,想買MLC的就只能多掏點錢了,所以才會問,是不是要在還有平價MLC(如Sandisk Extreme Pro)可買時,多買幾顆回來屯

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