黃仁勳對華為「韜定律」潑冷水！胡錫進反擊：今年秋天將見證「DeepSeek時刻」
 

原文來源： https://www.storm.mg/article/11137023

中國晶片彎道超車！

平面device縮小失敗，所以推疊3D，問題是TSMC不但可以把
平面device繼續縮小，十年前就在研究3D堆疊啊...
這樣怎可能追得上??

口號大家都喊很響(看看三星..), 等東西真做出來再來見真章..

胡錫進這文組在靠北三小
而且他是負責舔LP

要反駁也找個理工科背景

我昨天蹲廁所，發明了一個5D堆疊技術，是革命性的突破，預計第4季量產，如果你問我5D是什麼，我也不知道，我比別人多2D就是突破!!

跟🍦一樣，邊拉邊繞圈嗎

The Register 相關報導分析指出，在計算晶片電晶體密度時，
傳統標準是指「單位面積」（平房規劃），
而華為的堆疊技術概念更像是「單位體積」（加蓋樓層）。
若以嚴格的半導體製造與平面佈局標準來衡量，
堆疊多層矽片與微縮單層製程不能直接劃上等號。

半導體專家強調，實驗室研發與工廠千萬級的量產是兩回事。
晶片立體堆疊（3D封裝）在實際落地時，面臨著極大的物理與工程挑戰，
包括：
散熱極度困難（高熱點集中）。
訊號延遲與串擾的控制。
封裝成本過高及良率難以提升。

CCAV殃視都能找到手搓奈米級的大師，
要相信中國人才濟濟肯定可以彎道超車。
:laugh: :laugh:

大國工匠：手搓五奈米、肉眼分辨 0 4 微米，徒手測量 0 01 毫米，遙遙領先贏麻了！

今年秋天? 那不就三到六個月內可以看到成果?

華為是要把訊號傳輸距離拉更短，這就有點像實力不如人就用彎道來超車