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- - 看來我要撐到2017年才能換SSD了
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看來我要撐到2017年才能換SSD了
http://www.expreview.com/42394.html
各位前輩 如果其他家都用QLC 只有美光和淫特爾........ 那麼其他廠商是逼大家夾著LP 花大錢去買美光和淫特爾的3D Xpoint SSD嗎?? |
像我們這種口袋沒錢的，買東西就應該以需求為優先
那些規格優劣如何如何的事情，與我們窮苦人無關 |
引用:
不過QLC 這種錢我不想浪費 一顆閃存只能寫100次 我不想拿我的資料賭 :laugh: :laugh: 果斷等3D Xpoint |
引用:
裏面不是有寫到 "QLC闪存除了每核心的容量是MLC闪存的4倍之外，其耐用性也要高于现在的MLC闪存。" 目前TLC SSD有什資料突然不見了的大問題讓你不滿意的嗎??? MLC吵一次.....TLC吵一次.....QLC又要吵一次...... :laugh: |
應該多數是拿來做成隨身碟......
話說隨身碟有控制晶片做平均抹寫控制嗎？ 沒有的話Flash顆粒應該很容易掛吧？ :fear: 雖說寫入100次真的很少， 但以我個人不下載只單純拿來跑OS的經驗來看， Intel 320 300GB，3年寫不到30次......真的很少。 所以如果容量夠大又夠便宜，像512GB/1TB只賣2K， 應該還是有一定市場。 |
需要就買 反正時間到了還是會換
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引用:
原文為 东芝认为QLC闪存除了每核心的容量是MLC闪存的4倍之外，其耐用性也要高于现在的MLC闪存 最後一段提到: 另外，简单科普下——TLC闪存是每个Cell单元存储3位电荷，有8种状态，QLC闪存则是存储 4位电荷，有16种状态，好处是存储容量更大，但控制更麻烦，可靠性要求更高，P/E次数也会 降低。 |
看到QLC是MLC容量4倍，害我的螢幕噴滿了水
QLC是 4bit per cell MLC是 2bit pre cell 哪來的QLC = MLC 四倍容量啦? 灌水灌大太了吧 應該是說， MLC的電壓需要分成4個階段(2^2)，QLC需要分成16個階段(2^4) 這個才有QLC是MLC 4倍的地方 目前floating gate架構的NAND TLC就差不多了 除了P/E cycle 從3000次降到只有700次左右的缺點外，還得搭配大量的ECC QLC做在floating gate 架構的NAND 上，P/E cycle 能剩多少次都是個問題 還要算上不知道要多幾倍的ECC，目前的技術應該看不到QLC NAND Toshiba講的QLC是應用在BiCS架構的3D NAND 由於已經不是傳統的floating gate 架構，所以有可能比一般?NAND來的好 這部份還是紙上談兵，等有實際樣品出來再講也未遲。 |
如果iPhone採用QLC當儲存裝置，各位還會買嗎
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引用:
果粉才不在乎MLC, TLC還是QLC 這問題是白問的 :unbelief: 反正愈塞愈多是趨勢 避不了的 |
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