記憶體又準備漲價了!!

DRAM報價在去年第4季重挫，拖累各廠業績，不過就在價格已經來到成本水位，南科日前也於法說會上釋出，DRAM價格即將落底訊息下，市場紛紛看好DRAM產業第2季可望回春，進一步帶動DRAM現貨價走高。

DRAM現貨價在昨日開始發動，其中DDR3 2Gb品牌顆粒現貨報價大漲10.81%，重新回到2美元大關，來到2.03美元，DDR3 1Gb也走強8.22%，均價為1.13美元。

根據集邦科技今日最新公佈的DRAM現貨價格上，DDR3 1Gb品牌顆粒現貨均價來到1.14美元，上漲1.06%；DDR3 1Gb有效測試顆粒(eTT)均價也回升至0.92美元，上漲1.44%。DDR3 2Gb品牌顆粒現貨均價2.06美元，上漲1.23%，DDR3 2Gb有效測試顆粒(eTT)均價1.81美元，走高1.12%

大廠喊話 DRAM現貨止跌反彈
2011-01-28 工商時報 【記者李淑惠／台北報導】

儘管DRAM的1月下旬合約價持續重挫，但是在記憶體封測大廠力成（6239），及三星喊話DRAM景氣第1季觸底之下，昨（27）日現貨價格出現止跌反彈走勢，DDR3 1Gb eTT現貨價昨日大漲8.18％，DDR3 2Gb品牌顆粒更大漲10.81％收市，DRAM價格似乎嗅到春天的味道。

　25日公布的合約價仍呈現破底走勢，跌幅在3.3％至6.6％之間，合約廠商南科表示，目前DDR3 1Gb價格已經瀕臨變動成本，DDR3 2Gb也已經跌破製造成本，價格再大幅重挫的空間已經不大，但是因為通路上仍有些庫存，還有待消化，因此目前還看不到價格反彈的理由。


DRAM現貨價 再漲7~9%
2011年 01月29日 蘋果日報

【范中興╱台北報導】近日DRAM現貨價強勢反彈，昨天現貨價再度大漲7~9%，累計本周主流2Gb DDR3漲幅高達27%，是去年第2季以來最強勁的反彈，由於全球各廠主管都對DRAM展現比較樂觀的預測，業者指出，只要農曆年後需求還能維持，就可以樂觀預期產業將觸底反轉。


DRAM現貨價 連兩日大漲

工商時報 / 記者李淑惠／台北報導 2011/01/29

三星決定減少今年DRAM資本支出，DRAM現貨價格應聲強彈，昨（28）日現貨市場各種規格DRAM全面大漲，其中DDR3 2Gb eTT現貨兩天大漲超過15％，DDR3 2Gb品牌顆粒單日也大漲逾10％，報價2.22美元，2個交易日合計漲幅近20％，漲幅拉大。

受到現貨價大漲激勵，以現貨市場的力晶，與以合約市場為主的南科封關日連袂登上漲停；記憶體模組廠漲勢更為強勁，品安、商丞連袂登上漲停，勁永終場以大漲6.33％收市，記憶體上下游個股漲勢頗為整齊。

南科在日前法說會指出，目前DDR3 1Gb價格接近變動成本，DDR3 2Gb跌破製造成本，但距離變動成本還有段距離，因此DRAM下跌空間已不大，再大幅重挫機率不高，但價格要強力反彈仍有待觀察。

南科指出，目前通路上仍有庫存待消化，農曆年之前拉貨潮也不明顯，如果庫存消化夠快，估計第1季底至第2季有機會反彈。

業者指出，過去4個月DRAM價格跌勢驚人，幾乎將2008年至2009年漲幅一次跌掉，加上去年下半年換機潮未形成潮流，導致這一波景氣探底速度超過預期。

以目前財報來看，標準型DRAM廠去年第4季全軍覆沒，全數虧損，僅旺宏、華邦電因轉往利基型領域，旺宏單季獲利11億元，華邦電單季小賺3,000萬元。


現貨價強彈 DRAM族群大漲
中央社 更新日期:"2011/01/28 09:57"

(中央社記者張建中新竹28日電)動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價強勁反彈，激勵DRAM廠及記憶體模組廠股價走揚，盤中強攻漲停如南科18.45元及商丞47.15元。

DRAM市場在去年第4季產品價格腰斬後，近期市場氣氛漸趨樂觀，產品價格即將落底已成業界共識，有部分業者甚至預期，在產能排擠下，DRAM市場將出現供應吃緊情況。

DRAM現貨價走勢也急遽轉強，根據集邦科技調查，27日DDR3 1Gb品牌顆粒現貨均價彈升至1.13美元，上漲8.22%；DDR3 1Gb有效測試顆粒 (eTT)均價也回升至0.9美元，上漲7.89%。

隨著現貨價強勁反彈，DRAM製造廠及記憶體模組廠今天股價連袂走揚；其中，南科股價一度攻上漲停，達新台幣18.45元，商丞也強攻漲停，達47.15元。1000128




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