CPU : P4 3.4CG ES (擬12倍頻 P4 2.4CG往上超外頻及除頻)
MB : IC7-Max3 Bios 1.6 (Vddr 最低電壓為2.5v )
RAM : G. Skill DDR560 TCCD 0425週期 256mbx2
Vddr 及參數 : 全部一致簡單設定 2.5V , RAM參數最佳化2-2-2-5 , 3-4-4-8兩種

以下依往例...就實用層面兩個嚴苛測試memtest86+ v 1.20及Prime95 23.8
來展現現今真正雙通道之王者Samsung TCCD RAM 最低電壓 Vddr 2.5V實力...

300外頻 CPU:RAM=3:2 參數 2-2-2-5 Vddr 2.5v
memtest86+ v1.20 Loop #5 and #8...輕鬆通過!
( 這是RAM測試最容易出錯的兩個Tests )





相同設定進Windows XP run Prime95 Torture test Blend mode亦通過 Vddr 2.5v



300外頻 CPU:RAM=5:4 參數 3-4-4-8 Vddr 2.5v
memtest86+ v1.20 Loop #5 and #8...輕鬆通過!





相同設定進Windows XP run Prime95 Torture test Blend mode亦通過 Vddr 2.5v




290外頻 CPU:RAM=1:1 參數 3-4-4-8 Vddr 2.5v
memtest86+ v1.20 Standard Test 1-7 數圈通過


memtest86+ v1.20 Loop #5 and #8...亦輕鬆通過!




相同設定進Windows XP run Prime95 Torture test Blend mode亦通過 Vddr 2.5v


將CPU調成13倍頻時...290x13=3770mhz時...
頻寬達到6844mb/s...而記憶體電壓一樣是設2.5V...絲毫沒變!


我不知道是否其他週期TCCD也能如此達成...
至少G.Skill 0425週期的TCCD 256mbx2...真的是 2.5V 200-290外頻威鯨闖通關!